Memoria USB Dual impulsado por SSD Core / 256 GB / USB-C y USB-A / 560 MB/s de Escritura 175061 Material: Acero con punta de

Material: Acero con punta de carburo

000 horas de funcionamiento

Xiaomi Mi 12/Mi 11/Mi 10

Rango de frecuencia: 250 kHz - 1 GHz (250 kHz-3 GHz opcional)

Inactivo: -40°C - 70°C

Memoria USB Dual impulsado por SSD Core / 256 GB / USB-C y USB-A / 560 MB/s de Escritura 175061 Material: Acero con punta deEspecificaciones Caractersticas Principales: Interfaz USB 3. 2 Gen2 Type C Capacidades de almacenamiento de 1 TB Velocidades de lectura escritura de 530 MB s y 450 MB s Diseo compacto y duradero con cuerpo de metal y peso ligero Temperatura operativa de 5 a 35 C Quin es HIKSEMI? Unidades de Estado Slido Unidad de estado slido porttil SWIFT Dual Mini Diseo compacto, velocidad potente Soporte de funcin OTG Las nuevas memorias USB con chip de SSD y