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Hoja Técnica PIC18F452
Las tecnologías patentadas HVIC y CMOS inmunes permiten una construcción monolítica resistente
Longitud de Onda del led: 609 nm (nanometros)
Por esta razón el modulo se usa generalmente sin disipador
Transistor equivalente a NTE123AP
MJE2955T Transistor BJT PNP -60V / -10A TO-220 KIT's Educativos de Electrónica Hoja Técnica PIC18F452MJE2955T Transistor BJT PNP 60V 10A TO 220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 75W, aun as, puede controlar dispositivos que consuman hasta 10A o que requieran tensiones de hasta 60VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacin mxima. Su juntura es PNP, con un factor de amplificacin (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y
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