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Temperatura de Unión: 150°C
1 | 5Gbps | Soporta hasta 2TB | Soporta Windows/Mac OS/Linux/Android | Lectura de Tarjetas Simultánea | Caja de Aluminio | Llavero Anti-perdida
24 puertos PoE+ con capacidad total de 250W
Formato: Confirmar que es H10301 (26 bits)
5 mm hembra (Rosa)
Accesorios Generales ICOM 115-0002-510 | Sierra Store TT488TYPECV2.0TX Temperatura de Unión: 150°CEl FET de potencia RA33H1516M1 325 es un transistor de efecto de campo de alta potencia diseado especficamente como componente de repuesto para equipos de comunicaciones martimas IC M506. Este dispositivo semiconductor ofrece excelente rendimiento en aplicaciones de conmutacin de potencia, proporcionando alta eficiencia y confiabilidad en sistemas de radio martima. Su construccin en silicio con disipacin optimizada garantiza operacin estable bajo
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